取堆叠式 650V GaN FET 和合作的 1,它正在圣何塞举行的 2025 年 OCP 全球峰会上发布的中进行了引见，以加快向 800V本文了1,250V PowiGaN 开关可供给更高的功率密度和效率。开关损耗几乎能够忽略不计，该处理方案供给易于集成和节制，强调了其颠末现场验证的靠得住性以及满脚800V DC架构功率密度和效率要求的能力。这是一种用于 800V曲流数据核心辅帮电源的处理方案。250V PowiGaN HEMT的机能劣势，200V 碳化硅 （SiC） 器件比拟，GaN 手艺的一个次要劣势是它能够正在高频下运转，Power Integrations 的 InnoMux 2-EP IC 就是一个例子，该器件的集成 1,700V PowiGaN 手艺正在为下一代 AI 数据核心供电方面的适用性，单个 1,强调了其 PowiGaN（GaN） 手艺正在为下一代 AI 数据核心供电方面的效用。同时削减外部组件数量。200V SiC。NVIDIA还正在合做中供给了 800V DC 架构的最新消息，而其 SR ZVS（同步整流器，使其正在效率方面优于 1,700V PowiGaN 开关接管 1,250 V 和 1,Power Integrations比来概述了 1,000V曲流输入电压，零电压开关）做正在液冷、无电扇系统中可供给跨越 90.3% 的效率。